В новом поколении флэш-памяти TLC были преодолены технические ограничения 2D NAND, а также увеличены показатели общей емкости, производительности и надежности. Вертикальное расположение ячеек позволило увеличить общую емкость 3D NAND по сравнению с планарной флэш-памятью 2D. Это не только позволяет повысить производительность и надежность, но и преодолеть технические ограничения планарных чипов.