+
+0
Описание
Память SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Hynix (HMT451S6BFR8A-PB) поможет ускорить обмен данными на компьютере. Оперативная память незаменима для выполнения различных задач, таких как: работа с объемными текстами, таблицами, графиками; архивирование, шифрование, работа с базами данных; компьютерные игры, а также многие другие задачи.
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с),
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),
- меньшее энергопотребление и улучшенное энергосбережение.
Модули памяти SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Hynix (HMT451S6BFR8A-PB) созданы на базе новейшего поколения технологии DDR. Как и все модули памяти компании, модули памяти DDR3 спроектированы и созданы таким образом, чтобы полностью соответствовать всем требованиям энтузиастов в области разгона ПК. Модули памяти DDR3 обеспечивают более высокую скорость, более низкое время задержки, более высокую пропускную способность и уменьшенное энергопотребление по сравнению с модулями памяти DDR2.
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с),
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),
- меньшее энергопотребление и улучшенное энергосбережение.
Модули памяти SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Hynix (HMT451S6BFR8A-PB) созданы на базе новейшего поколения технологии DDR. Как и все модули памяти компании, модули памяти DDR3 спроектированы и созданы таким образом, чтобы полностью соответствовать всем требованиям энтузиастов в области разгона ПК. Модули памяти DDR3 обеспечивают более высокую скорость, более низкое время задержки, более высокую пропускную способность и уменьшенное энергопотребление по сравнению с модулями памяти DDR2.
Характеристики
Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR3L 4GB 1600 MHz Hynix (HMT451S6BFR8A-PB)
0 отзывов
Код: 236048Код: 236048
₴363₴375-4%
Описание
Память SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Hynix (HMT451S6BFR8A-PB) поможет ускорить обмен данными на компьютере. Оперативная память незаменима для выполнения различных задач, таких как: работа с объемными текстами, таблицами, графиками; архивирование, шифрование, работа с базами данных; компьютерные игры, а также многие другие задачи.
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с),
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),
- меньшее энергопотребление и улучшенное энергосбережение.
Модули памяти SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Hynix (HMT451S6BFR8A-PB) созданы на базе новейшего поколения технологии DDR. Как и все модули памяти компании, модули памяти DDR3 спроектированы и созданы таким образом, чтобы полностью соответствовать всем требованиям энтузиастов в области разгона ПК. Модули памяти DDR3 обеспечивают более высокую скорость, более низкое время задержки, более высокую пропускную способность и уменьшенное энергопотребление по сравнению с модулями памяти DDR2.
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с),
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),
- меньшее энергопотребление и улучшенное энергосбережение.
Модули памяти SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Hynix (HMT451S6BFR8A-PB) созданы на базе новейшего поколения технологии DDR. Как и все модули памяти компании, модули памяти DDR3 спроектированы и созданы таким образом, чтобы полностью соответствовать всем требованиям энтузиастов в области разгона ПК. Модули памяти DDR3 обеспечивают более высокую скорость, более низкое время задержки, более высокую пропускную способность и уменьшенное энергопотребление по сравнению с модулями памяти DDR2.
Характеристики