Описание
Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1866 MHz G.Skill (F3-1866C11S-4GRSL) имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.

Модуль памяти  SoDIMM DDR3 4GB 1866 MHz G.Skill (F3-1866C11S-4GRSL)- это модуль памяти одной планкой на 4 Гб. Память работает с тактовой частотой 1866 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 14900 МБ/с.

DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Преимущества по сравнению с DDR2: более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с); сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания); меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.

Характеристики
Тип памяти
Объем памяти
Стандарты памяти
Частота памяти
Тайминги
Форм-фактор памяти
Буферизация
(Сборка) Потребляемая мощность
Количество модулей в наборе
Напряжение питания
Проверка и коррекция ошибок (ECC)

Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR3 4GB 1866 MHz G.Skill (F3-1866C11S-4GRSL)

0
0 отзывов
Код: 236066Код: 236066
₴0
Описание
Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1866 MHz G.Skill (F3-1866C11S-4GRSL) имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.

Модуль памяти  SoDIMM DDR3 4GB 1866 MHz G.Skill (F3-1866C11S-4GRSL)- это модуль памяти одной планкой на 4 Гб. Память работает с тактовой частотой 1866 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 14900 МБ/с.

DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Преимущества по сравнению с DDR2: более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с); сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания); меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.

Характеристики
Тип памяти
Объем памяти
Стандарты памяти
Частота памяти
Тайминги
Форм-фактор памяти
Буферизация
(Сборка) Потребляемая мощность
Количество модулей в наборе
Напряжение питания
Проверка и коррекция ошибок (ECC)