+
+0

Описание
Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1866 MHz G.Skill (F3-1866C11S-4GRSL) имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1866 MHz G.Skill (F3-1866C11S-4GRSL)- это модуль памяти одной планкой на 4 Гб. Память работает с тактовой частотой 1866 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 14900 МБ/с.
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Преимущества по сравнению с DDR2: более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с); сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания); меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
Характеристики
- Тип памяти
- Объем памяти
- Стандарты памяти
- Частота памяти
- Тайминги
- Форм-фактор памяти
- Буферизация
- Охлаждение
- (Сборка) Потребляемая мощность
- Количество модулей в наборе
- Напряжение питания
- Проверка и коррекция ошибок (ECC)
Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR3 4GB 1866 MHz G.Skill (F3-1866C11S-4GRSL)
0 отзывов
Код: 236066Код: 236066
₴0
Описание
Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1866 MHz G.Skill (F3-1866C11S-4GRSL) имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1866 MHz G.Skill (F3-1866C11S-4GRSL)- это модуль памяти одной планкой на 4 Гб. Память работает с тактовой частотой 1866 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 14900 МБ/с.
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Преимущества по сравнению с DDR2: более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с); сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания); меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
Характеристики
- Тип памяти
- Объем памяти
- Стандарты памяти
- Частота памяти
- Тайминги
- Форм-фактор памяти
- Буферизация
- Охлаждение
- (Сборка) Потребляемая мощность
- Количество модулей в наборе
- Напряжение питания
- Проверка и коррекция ошибок (ECC)