
Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR2 2GB 800 MHz Samsung (M470T5663RZ3-CF7RA)
имеет параметр CL6, что обозначает величину латентности, равную 6. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. У каждого ноутбука и нетбука есть скрытые возможности. Благодаря модулям памяти Вы узнаете, на что действительно способен ваш компьютер.
SODIMM (Small Outline DIMM) - это специальные модули для портативных компьютеров, отличающиеся уменьшенным размером. Этот тип модулей памяти используется также и в коммуникационном оборудовании, где важны их габариты, во все современные ноутбуки устанавливаются модули формата SODIMM.
Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR2 2GB 800 MHz Samsung - второе поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Преимущества по сравнению с DDR: более высокая пропускная способность (до 6400 МБ/ с), сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания), меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR2 2GB 800 MHz Samsung (M470T5663RZ3-CF7RA)
Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR2 2GB 800 MHz Samsung (M470T5663RZ3-CF7RA)
имеет параметр CL6, что обозначает величину латентности, равную 6. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. У каждого ноутбука и нетбука есть скрытые возможности. Благодаря модулям памяти Вы узнаете, на что действительно способен ваш компьютер.
SODIMM (Small Outline DIMM) - это специальные модули для портативных компьютеров, отличающиеся уменьшенным размером. Этот тип модулей памяти используется также и в коммуникационном оборудовании, где важны их габариты, во все современные ноутбуки устанавливаются модули формата SODIMM.
Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR2 2GB 800 MHz Samsung - второе поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Преимущества по сравнению с DDR: более высокая пропускная способность (до 6400 МБ/ с), сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания), меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.