+
+0
Описание
DDR3 4GB 1600 MHz MICRON (CT51264BA160B)
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с),
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),
- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с),
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),
- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
Характеристики
Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 4GB 1600 MHz Micron (CT51264BA160BJ)
0 отзывов
Код: 143444Код: 143444
₴0
Описание
DDR3 4GB 1600 MHz MICRON (CT51264BA160B)
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с),
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),
- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с),
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),
- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
Характеристики