Описание
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.

Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с);
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания);
- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.

Модуль памяти DDR3 4096Mb GOODRAM (GR1600D364L11/4G) имеет параметр CL1, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.

DDR3 4096Mb GOODRAM (GR1600D364L11/4G) - это один модуль памяти на 4 Гб. Память работает с тактовой частотой 1600MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 12800МБ/с.
Характеристики
(Сборка) Потребляемая мощность
Тип памяти
Частота памяти
Охлаждение
Подсветка
Объем памяти
Количество модулей в наборе
Стандарты памяти
Тайминги
Напряжение питания
Проверка и коррекция ошибок (ECC)
Буферизация
(Сборка) Высота модуля памяти

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 4GB 1600 MHz Goodram (GR1600D364L11/4G)

0
0 отзывов
Код: 145111Код: 145111
₴0
Описание
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.

Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с);
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания);
- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.

Модуль памяти DDR3 4096Mb GOODRAM (GR1600D364L11/4G) имеет параметр CL1, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.

DDR3 4096Mb GOODRAM (GR1600D364L11/4G) - это один модуль памяти на 4 Гб. Память работает с тактовой частотой 1600MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 12800МБ/с.
Характеристики
(Сборка) Потребляемая мощность
Тип памяти
Частота памяти
Охлаждение
Подсветка
Объем памяти
Количество модулей в наборе
Стандарты памяти
Тайминги
Напряжение питания
Проверка и коррекция ошибок (ECC)
Буферизация
(Сборка) Высота модуля памяти