Описание

Модуль памяти DDR3 2GB 1600 MHz Samsung (2/1600sam3rd) работает с тактовой частотой 1600 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 12800 МБ/с. Модуль памяти DDR3 2GB 1600 MHz SAMSUNG имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.

DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Преимущества по сравнению с DDR2:  более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с),  сниженное тепловыделение,  меньшее энергопотребление и улучшенное энергосбережение.


Характеристики
Тип памяти
Объем памяти
Количество модулей в наборе
Частота памяти
Стандарты памяти
Тайминги
Напряжение питания
Охлаждение
Форм-фактор памяти
Проверка и коррекция ошибок (ECC)
Буферизация
(Сборка) Потребляемая мощность

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 2GB 1600 MHz Samsung (2/1600sam3rd)

0
0 отзывов
Код: 139009Код: 139009
₴0
Описание

Модуль памяти DDR3 2GB 1600 MHz Samsung (2/1600sam3rd) работает с тактовой частотой 1600 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 12800 МБ/с. Модуль памяти DDR3 2GB 1600 MHz SAMSUNG имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.

DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Преимущества по сравнению с DDR2:  более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с),  сниженное тепловыделение,  меньшее энергопотребление и улучшенное энергосбережение.


Характеристики
Тип памяти
Объем памяти
Количество модулей в наборе
Частота памяти
Стандарты памяти
Тайминги
Напряжение питания
Охлаждение
Форм-фактор памяти
Проверка и коррекция ошибок (ECC)
Буферизация
(Сборка) Потребляемая мощность