Описание
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.


Преимущества по сравнению с DDR2:

- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с),

- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),

- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.


Модуль памяти DDR3 2048Mb GOODRAM (GR1600D364L11/2G) имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.


DDR3 2048Mb GOODRAM (GR1600D364L11/2G) - это модуль памяти, который работает с тактовой частотой 1600MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 12800 МБ/с.
Характеристики
Тип памяти
Объем памяти
Количество модулей в наборе
Частота памяти
Тайминги
Напряжение питания
Охлаждение
(Сборка) Потребляемая мощность
Стандарты памяти
Подсветка
Проверка и коррекция ошибок (ECC)
Буферизация
(Сборка) Высота модуля памяти

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 2GB 1600 MHz Goodram (GR1600D364L11/2G)

0
0 отзывов
Код: 145122Код: 145122
₴0
Описание
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.


Преимущества по сравнению с DDR2:

- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с),

- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),

- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.


Модуль памяти DDR3 2048Mb GOODRAM (GR1600D364L11/2G) имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.


DDR3 2048Mb GOODRAM (GR1600D364L11/2G) - это модуль памяти, который работает с тактовой частотой 1600MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 12800 МБ/с.
Характеристики
Тип памяти
Объем памяти
Количество модулей в наборе
Частота памяти
Тайминги
Напряжение питания
Охлаждение
(Сборка) Потребляемая мощность
Стандарты памяти
Подсветка
Проверка и коррекция ошибок (ECC)
Буферизация
(Сборка) Высота модуля памяти