+
+0
Описание
DDR SDRAM - это первое поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, в сравнении с SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти.
Модуль памяти DDR SDRAM 1024Mb SILICON POWER (SP001GBLDU400O02) имеет параметр CL3, что обозначает величину латентности, равную 3. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
Модуль памяти DDR SDRAM 1024Mb SILICON POWER (SP001GBLDU400O02) - работает с тактовой частотой 400 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 3200 МБ/с.
При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, в сравнении с SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти.
Модуль памяти DDR SDRAM 1024Mb SILICON POWER (SP001GBLDU400O02) имеет параметр CL3, что обозначает величину латентности, равную 3. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
Модуль памяти DDR SDRAM 1024Mb SILICON POWER (SP001GBLDU400O02) - работает с тактовой частотой 400 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 3200 МБ/с.
Характеристики
Модуль пам'яті для комп'ютера DDR SDRAM 1GB 400 MHz Silicon Power (SP001GBLDU400O02)
0 отзывов
Код: 144802Код: 144802
₴0
Описание
DDR SDRAM - это первое поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, в сравнении с SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти.
Модуль памяти DDR SDRAM 1024Mb SILICON POWER (SP001GBLDU400O02) имеет параметр CL3, что обозначает величину латентности, равную 3. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
Модуль памяти DDR SDRAM 1024Mb SILICON POWER (SP001GBLDU400O02) - работает с тактовой частотой 400 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 3200 МБ/с.
При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, в сравнении с SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти.
Модуль памяти DDR SDRAM 1024Mb SILICON POWER (SP001GBLDU400O02) имеет параметр CL3, что обозначает величину латентности, равную 3. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
Модуль памяти DDR SDRAM 1024Mb SILICON POWER (SP001GBLDU400O02) - работает с тактовой частотой 400 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 3200 МБ/с.
Характеристики