+
+0

Описание
DDR SDRAM - это первое поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, в сравнении с SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти.
Модуль памяти DDR 512MB 400 MHz Samsung (SAMD6AUDR-50M48) имеет параметр CL3, что обозначает величину латентности, равную 3. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. Модуль памяти работает с тактовой частотой 400 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 3200 МБ/с.
Модуль памяти DDR 512MB 400 MHz Samsung (SAMD6AUDR-50M48) имеет параметр CL3, что обозначает величину латентности, равную 3. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. Модуль памяти работает с тактовой частотой 400 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 3200 МБ/с.
Характеристики
Модуль пам'яті для комп'ютера DDR 512MB 400 MHz Samsung (SAMD6AUDR-50M48 / K4H560838F-TSB3)
0 отзывов
Код: 139471Код: 139471
₴0
Описание
DDR SDRAM - это первое поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, в сравнении с SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти.
Модуль памяти DDR 512MB 400 MHz Samsung (SAMD6AUDR-50M48) имеет параметр CL3, что обозначает величину латентности, равную 3. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. Модуль памяти работает с тактовой частотой 400 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 3200 МБ/с.
Модуль памяти DDR 512MB 400 MHz Samsung (SAMD6AUDR-50M48) имеет параметр CL3, что обозначает величину латентности, равную 3. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. Модуль памяти работает с тактовой частотой 400 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 3200 МБ/с.
Характеристики