Особливості мікроархітектури Zen+
У новій архітектурі AMD Zen+ використовується потужний механізм виконання, а також підтримується функція одночасної багатопотоковості (SMT). Ядра Zen+ розроблені для ефективного використання наявних ресурсів мікроархітектури для забезпечення максимальної обчислювальної продуктивності. Нова трирівнева кеш-пам'ять із низьким затриманням і нові алгоритми попереднього вибирання неабияк зменшують кількість кеш-промахів і збільшують пропускну здатність, порівнюючи з попередньою мікроархітектурою.

Продуктивність і ефективність для застосунків наступного покоління
Хмарні обчислення, продуктивність промислового рівня, технології віртуальної реальності, ігри й безпека даних відкривають нові горизонти та вимагають більш високого рівня продуктивності обчислень в умовах максимальної енергоефективності. Спочатку інженери компанії AMD розробили нову архітектуру Zen+ в такий спосіб, щоб вона могла відповідати та навіть перевершувати високі вимоги щодо продуктивності й ефективності не тільки застосунків наступного, а й подальших поколінь.

Технологія Neural Net Prediction
Вбудований штучний інтелект дає змогу процесору ефективніше справлятися з відтворенням ваших застосунків.

Технологія Smart Prefetch
Алгоритми навчання, які заздалегідь угадують наперед і попередньо завантажують у кеш-пам'ять необхідне ПЗ дані для прискорення обчислень і мінімізації часу відгуку.

Технологія Extended Frequency Range
Автоматичне додаткове підвищення продуктивності для користувачів ігрових ПК із системами охолодження преміумкласу.

Технологія Precision Boost
Продуктивність процесора регулюється в режимі реального часу для відповідності вимогам навантаження ваших ігор і застосунків.

Технологія Pure Power
Робота процесора без зайвого тепловиділення забезпечується за допомогою штучного інтелекту, вбудованих датчиків та оптимізованого дизайну мікросхеми.

Особливості:

• Частота 3.2/3.4 ГГц
• 10 МБ загальної кеш-пам'яті другого та третього рівня
• Велика уніфікована кеш-пам'ять другого рівня
• Кеш декодованих інструкцій
• Високоефективні FinFET-транзистори