+
+0
Опис
DDR SDRAM - це перше покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом і подвоєною швидкістю передачі даних.
При використанні DDR SDRAM досягається подвоєна швидкість роботи, в порівнянні з SDRAM, за рахунок зчитування команд і даних не лише по фронту, але і по спаду тактового сигналу. За рахунок цього подвоюється швидкість передачі даних без збільшення частоти тактового сигналу шини пам'яті.
Модуль пам'яті DDR SDRAM 512MB 400 MHz SAMSUNG (K4H560838E-TCCC / K4H560838F-TCCC) має параметр CL3, що означає величину латентності, рівну 3. CAS-латентність - перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину.
При використанні DDR SDRAM досягається подвоєна швидкість роботи, в порівнянні з SDRAM, за рахунок зчитування команд і даних не лише по фронту, але і по спаду тактового сигналу. За рахунок цього подвоюється швидкість передачі даних без збільшення частоти тактового сигналу шини пам'яті.
Модуль пам'яті DDR SDRAM 512MB 400 MHz SAMSUNG (K4H560838E-TCCC / K4H560838F-TCCC) має параметр CL3, що означає величину латентності, рівну 3. CAS-латентність - перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину.
Характеристики
Модуль пам'яті для комп'ютера DDR SDRAM 512MB 400 MHz Samsung (K4H560838E-TCCC / K4H560838F-TCCC)
0 відгуків
Код: 140152Код: 140152
₴0
Опис
DDR SDRAM - це перше покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом і подвоєною швидкістю передачі даних.
При використанні DDR SDRAM досягається подвоєна швидкість роботи, в порівнянні з SDRAM, за рахунок зчитування команд і даних не лише по фронту, але і по спаду тактового сигналу. За рахунок цього подвоюється швидкість передачі даних без збільшення частоти тактового сигналу шини пам'яті.
Модуль пам'яті DDR SDRAM 512MB 400 MHz SAMSUNG (K4H560838E-TCCC / K4H560838F-TCCC) має параметр CL3, що означає величину латентності, рівну 3. CAS-латентність - перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину.
При використанні DDR SDRAM досягається подвоєна швидкість роботи, в порівнянні з SDRAM, за рахунок зчитування команд і даних не лише по фронту, але і по спаду тактового сигналу. За рахунок цього подвоюється швидкість передачі даних без збільшення частоти тактового сигналу шини пам'яті.
Модуль пам'яті DDR SDRAM 512MB 400 MHz SAMSUNG (K4H560838E-TCCC / K4H560838F-TCCC) має параметр CL3, що означає величину латентності, рівну 3. CAS-латентність - перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину.
Характеристики