+
+0
Опис
DDR SDRAM - це перше покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом та подвоєною швидкістю передачі даних.
При використанні DDR SDRAM досягається подвоєна швидкість роботи, в порівнянні з SDRAM, за рахунок зчитування команд і даних не лише по фронту, але і по спаду тактового сигналу. За рахунок цього подвоюється швидкість передачі даних без збільшення частоти тактового сигналу шини пам'яті.
Модуль пам'яті DDR SDRAM 1024Mb Silicon Power (SP001GBLDU333O02) має параметр CL3, що означає величину латентності, рівну 3. CAS-латентність - перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину.
Модуль пам'яті DDR SDRAM 1024Mb Silicon Power (SP001GBLDU333O02) - працює з тактовою частотою 333 MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 2700 МБ / с.
При використанні DDR SDRAM досягається подвоєна швидкість роботи, в порівнянні з SDRAM, за рахунок зчитування команд і даних не лише по фронту, але і по спаду тактового сигналу. За рахунок цього подвоюється швидкість передачі даних без збільшення частоти тактового сигналу шини пам'яті.
Модуль пам'яті DDR SDRAM 1024Mb Silicon Power (SP001GBLDU333O02) має параметр CL3, що означає величину латентності, рівну 3. CAS-латентність - перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину.
Модуль пам'яті DDR SDRAM 1024Mb Silicon Power (SP001GBLDU333O02) - працює з тактовою частотою 333 MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 2700 МБ / с.
Характеристики
Модуль пам'яті для комп'ютера DDR SDRAM 1GB 333 MHz Silicon Power (SP001GBLDU333O02)
0 відгуків
Код: 145147Код: 145147
₴0
Опис
DDR SDRAM - це перше покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом та подвоєною швидкістю передачі даних.
При використанні DDR SDRAM досягається подвоєна швидкість роботи, в порівнянні з SDRAM, за рахунок зчитування команд і даних не лише по фронту, але і по спаду тактового сигналу. За рахунок цього подвоюється швидкість передачі даних без збільшення частоти тактового сигналу шини пам'яті.
Модуль пам'яті DDR SDRAM 1024Mb Silicon Power (SP001GBLDU333O02) має параметр CL3, що означає величину латентності, рівну 3. CAS-латентність - перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину.
Модуль пам'яті DDR SDRAM 1024Mb Silicon Power (SP001GBLDU333O02) - працює з тактовою частотою 333 MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 2700 МБ / с.
При використанні DDR SDRAM досягається подвоєна швидкість роботи, в порівнянні з SDRAM, за рахунок зчитування команд і даних не лише по фронту, але і по спаду тактового сигналу. За рахунок цього подвоюється швидкість передачі даних без збільшення частоти тактового сигналу шини пам'яті.
Модуль пам'яті DDR SDRAM 1024Mb Silicon Power (SP001GBLDU333O02) має параметр CL3, що означає величину латентності, рівну 3. CAS-латентність - перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину.
Модуль пам'яті DDR SDRAM 1024Mb Silicon Power (SP001GBLDU333O02) - працює з тактовою частотою 333 MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 2700 МБ / с.
Характеристики